三极管是基于电流控制的器件。它有两个PN结，分为NPN和PNP两种类型。三极管包括基极（B）、发射极（E）和集电极（C），通过基极电流（IB）控制集电极电流（IC），三极管需要适当的偏置电压才能工作在放大区或开关状态。
MOS管是基于电压控制的器件。它有一个栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。栅极与源极之间有一层绝缘的氧化层，通过施加在栅极上的电压来控制沟道的导电性，从而控制源极和漏极之间的电流。MOS管的栅极电压决定了沟道的导通状态，不需要外部电流来维持偏置。
三极管具有电流放大功能，输入阻抗相对较低，一般在几百Ω到几千Ω之间，因为基极需要一定的电流来控制集电极电流。三极管的噪声较高，开关速度相对较慢，适用于低频应用。MOS管是电压控制器件，输入阻抗非常高，因为栅极与源极之间是绝缘的。MOS管的噪声较低，开关速度较快，适用于高频和高速应用。三极管在导通状态下，功耗相对较高，MOS管在导通状态下功耗较低，因为它不需要基极电流。
三极管多用于音频放大领域、开关控制电路、振荡电路等方面，而MOS管则用于数字集成电路、功率变换电路和模拟电路中的高精度应用上。
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