驅(qū)動(dòng)電路位于主電路與控制電路之間，將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為能夠驅(qū)動(dòng)執(zhí)行元件（如電機(jī)、電磁閥等）工作的電路。
利用晶體管的開(kāi)關(guān)特性來(lái)放大控制信號(hào)。當(dāng)輸入控制信號(hào)時(shí)，晶體管導(dǎo)通，電流流過(guò)負(fù)載，驅(qū)動(dòng)負(fù)載工作；無(wú)信號(hào)時(shí)，晶體管截止，負(fù)載無(wú)電流。
其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、響應(yīng)速度快。但功率有限，適合中小功率負(fù)載。
MOS管是一種電壓控制器件，通過(guò)控制柵極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和截止。
其導(dǎo)通電阻小、開(kāi)關(guān)速度快、熱損耗低，適用于大功率負(fù)載。但需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓，且對(duì)柵極電壓的耐壓要求較高。
IGBT結(jié)合了MOS管的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。通過(guò)柵極電壓控制其導(dǎo)通和截止。
耐壓高、電流容量大、開(kāi)關(guān)速度快。常用于高電壓、大電流的場(chǎng)合。但價(jià)格較高，驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)復(fù)雜。
通過(guò)控制繼電器線(xiàn)圈的通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)主電路的通斷。當(dāng)線(xiàn)圈通電時(shí)，繼電器觸點(diǎn)閉合，負(fù)載電路接通；斷電時(shí)，觸點(diǎn)斷開(kāi)。
適用于需要隔離控制的場(chǎng)合，電路簡(jiǎn)單、成本低、隔離性能好。但機(jī)械觸點(diǎn)壽命有限，響應(yīng)速度慢，不適合高頻控制。
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